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Si7100DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
25 °C, unless otherwise noted
0.020
I D = 15 A
150 °C
10
1
0.1
25 °C
0.016
0.012
0.00 8
125 °C
0.01
0.001
0.004
0.000
25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
0.3
0.1
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
50
40
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
30
- 0.1
I D = 5 mA
20
- 0.3
I D = 250 μ A
10
- 0.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1 0 0 0
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited b y R DS(on) *
1 ms
10
1
10 ms
100 ms
1s
10 s
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
DC
B V DSS limited
0.01
0.01
0.1
1
10
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 73785
S-80581-Rev. C, 17-Mar-08
www.vishay.com
5
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